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CY4N33达林顿光耦
描述：通常是红外发光二极管与达林顿光电晶体管组成。比单颗的三极管放大倍数高，只需要较小的IF驱动电流就能在输出端输出较大的IC电流
参数：
型号名：CY4N33电流转换比最小：500%电流转换比最大：-%CTR @IF(mA)：5mACTR @Vce(V)：5V集电极-发射极击穿电压：30V隔离电压：5000Vrms -
CY4N32达林顿光耦
描述：通常是红外发光二极管与达林顿光电晶体管组成。比单颗的三极管放大倍数高，只需要较小的IF驱动电流就能在输出端输出较大的IC电流
参数：
型号名：CY4N32电流转换比最小：500%电流转换比最大：-%CTR @IF(mA)：5mACTR @Vce(V)：5V集电极-发射极击穿电压：30V隔离电压：5000Vrms -
CY4N31达林顿光耦
描述：通常是红外发光二极管与达林顿光电晶体管组成。比单颗的三极管放大倍数高，只需要较小的IF驱动电流就能在输出端输出较大的IC电流
参数：
型号名：CY4N31电流转换比最小：50%电流转换比最大：-%CTR @IF(mA)：5mACTR @Vce(V)：5V集电极-发射极击穿电压：30V隔离电压：5000Vrms -
CY4N30达林顿光耦
描述：通常是红外发光二极管与达林顿光电晶体管组成。比单颗的三极管放大倍数高，只需要较小的IF驱动电流就能在输出端输出较大的IC电流
参数：
型号名：CY4N30电流转换比最小：100%电流转换比最大：-%CTR @IF(mA)：5mACTR @Vce(V)：5V集电极-发射极击穿电压：30V隔离电压：5000Vrms -
CY4N29达林顿光耦
描述：通常是红外发光二极管与达林顿光电晶体管组成。比单颗的三极管放大倍数高，只需要较小的IF驱动电流就能在输出端输出较大的IC电流
参数：
型号名：CY4N29电流转换比最小：100%电流转换比最大：-%CTR @IF(mA)：5mACTR @Vce(V)：5V集电极-发射极击穿电压：30V隔离电压：5000Vrms -
CY4N37晶体管输出光耦
参数：
电流转换比等级：CY4N37CTR 电流转换比 最小：100%CTR 电流转换比最大：-%CTR 电流转换比测试条件正向电流：10mACTR @Vce(V)：10V集电极-发射极击穿电压：30V隔离电压：5000Vrms -
CY4N36晶体管输出光耦
参数：
电流转换比等级：CY4N36CTR 电流转换比 最小：100%CTR 电流转换比最大：-%CTR 电流转换比测试条件正向电流：10mACTR @Vce(V)：10V集电极-发射极击穿电压：30V隔离电压：5000Vrms -
CY4N35晶体管输出光耦
参数：
电流转换比等级：CY4N35CTR 电流转换比 最小：100%CTR 电流转换比最大：-%CTR 电流转换比测试条件正向电流：10mACTR @Vce(V)：10V集电极-发射极击穿电压：30V隔离电压：5000Vrms -
CY4N28晶体管输出光耦
参数：
电流转换比等级：CY4N28CTR 电流转换比 最小：10%CTR 电流转换比最大：-%CTR 电流转换比测试条件正向电流：10mACTR @Vce(V)：10V集电极-发射极击穿电压：30V隔离电压：5000Vrms -
CY4N27晶体管输出光耦
参数：
电流转换比等级：CY4N27CTR 电流转换比 最小：10%CTR 电流转换比最大：-%CTR 电流转换比测试条件正向电流：10mACTR @Vce(V)：10V集电极-发射极击穿电压：30V隔离电压：5000Vrms -
CY4N26晶体管输出光耦
参数：
电流转换比等级：CY4N26CTR 电流转换比 最小：20%CTR 电流转换比最大：-%CTR 电流转换比测试条件正向电流：10mACTR @Vce(V)：10V集电极-发射极击穿电压：30V隔离电压：5000Vrms -
CY4N25晶体管输出光耦
参数：
电流转换比等级：CY4N25CTR 电流转换比 最小：20%CTR 电流转换比最大：-%CTR 电流转换比测试条件正向电流：10mACTR @Vce(V)：10V集电极-发射极击穿电压：30V隔离电压：5000Vrms
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