当前位置:网站首页 > 产品中心 > 达林顿光耦

达林顿光耦

达林顿 通常是红外发光二极管与达林顿光电晶体管组成。

优点:比单颗的三极管放大倍数高,只需要较小的IF驱动电流就能在输出端输出较大的IC电流。

应用领域:产品应用于电话机、电话交换机、系统设备、测量仪器、信号传输。

产品列表

共计:8条

CYTLP127达林顿光耦 封装:SOP-4

品牌:OCIC(卓睿科)
电流转换比最小:700%
电流转换比最大:4000%
集电极-发射极击穿电压:350V
隔离电压:3750Vrms
封装:SOP-4

CY4N29达林顿光耦 封装:DIP-6/SMD-6

品牌:OCIC(卓睿科)
型号名:CY4N29
电流转换比最小:100%
电流转换比最大:-%
集电极-发射极击穿电压:30V
隔离电压:5000Vrms
封装:DIP-6/SMD-6

CY4N30达林顿光耦 封装:DIP-6/SMD-6

品牌:OCIC(卓睿科)
型号名:CY4N30
电流转换比最小:100%
电流转换比最大:-%
集电极-发射极击穿电压:30V
隔离电压:5000Vrms
封装:DIP-6/SMD-6

CY4N31达林顿光耦 封装:DIP-6/SMD-6

品牌:OCIC(卓睿科)
型号名:CY4N31
电流转换比最小:50%
电流转换比最大:-%
集电极-发射极击穿电压:30V
隔离电压:5000Vrms
封装:DIP-6/SMD-6

CY4N32达林顿光耦 封装:DIP-6/SMD-6

品牌:OCIC(卓睿科)
型号名:CY4N32
电流转换比最小:500%
电流转换比最大:-%
集电极-发射极击穿电压:30V
隔离电压:5000Vrms
封装:DIP-6/SMD-6

CY4N33达林顿光耦 封装:DIP-6/SMD-6

品牌:OCIC(卓睿科)
型号名:CY4N33
电流转换比最小:500%
电流转换比最大:-%
集电极-发射极击穿电压:30V
隔离电压:5000Vrms
封装:DIP-6/SMD-6

CY6N138达林顿光耦 封装:DIP-8/SMD-8

品牌:OCIC(卓睿科)
电流转换比最小:300%
电流转换比最大:1600%
封装:DIP-8/SMD-8
集电极-发射极击穿电压:7V
隔离电压:5000Vrms

CY6N139达林顿光耦 封装:DIP-8/SMD-8

品牌:OCIC(卓睿科)
电流转换比最小:300%
电流转换比最大:1600%
封装:DIP-8/SMD-8
集电极-发射极击穿电压:7V
隔离电压:5000Vrms
友情链接: 华强国产品牌站
技术支持:万广互联 深圳市卓睿研发有限公司 版权所有 2021 粤ICP备19007470号-1